12C5XX/CE5XX
PIC12C5XX/CE5XX目前各型号主要功能配置如下

型号

时钟

EPROM

RAM

E2PROM
数据区

I/O线

定时器

电压范围

封 装
(DIP/SOIC)

  12C508

4M

512×12

25×8

6

1+WDT

2.5V-5.5V

8

  12C508A

4M

512×12

25×8

6

1+WDT

3.0V-5.5V

8

  12C509

4M

1024×12

41×8

6

1+WDT

2.5V-5.5V

8

  12C509A

4M

1024×12

41×8

6

1+WDT

3.0V-5.5V

8

  12CE518

4M

512×12

25×8

16×8

6

1+WDT

2.5V-5.5V

8

  12CE519

4M

1024×12

41×8

16×8

6

1+WDT

2.5V-5.5V

8

各型号管脚图如下:
 
 
 
主要功能特点
高性能精简指令集(RISC)CPU
·仅33条单字节指令·除跳转指令为双周期指令外,其余所有
·O.5K~1Kⅹ12位片类程序存储器  指令皆为单周期指令
·直接、间接、相对三种寻址方式·执行速度: DC~1μs
·二级硬件堆栈 
外围特性
·8位定时器/计数器TMR0,带8位预分频器·程序保密位,可防止程序代码的非法拷贝
·大驱动电流,I/O脚可直接驱动数码管(LED)显示·低功耗睡眠功能
  每个I/O引脚最大控电流25mA·I/O引脚可唤醒睡眠
  每个I/O引脚最大灌电流20mA·内置4MHz RC型振荡源,可省外接振荡
·内置上电复位电路(POR)·可选外接振荡
·器件复位定时器(DRT)   RC: 低成本阻容振荡
·内部MCLR复位端加上拉电路,无需外接上拉电路  XT: 标准晶体/陶瓷振荡
·内置自振式看门狗,防程序死锁  LP: 低速晶体,低功耗振荡
CMOS工艺性能
·低功耗,高速度CMOS EPOM/POM 技术·宽工作温度范围:
  <2mA @5V,4MHz   商用级: 0℃~+70℃ 
  15μA @3V,32KHz  工业级:-40℃~+85℃
  <1μA 低功耗睡眠(Sleep)模式下  汽车级:-40℃~+125℃
·全静态设计 ·宽工作电压范围:2.5V~5.5V
PIC12C5XX采用8脚封装,并具有粘片封装,体积小巧,却集成了很多功能特点,是目前最便宜的OTP单
片机,可嵌入几乎任何一种电子产品中,如电子玩具、遥控开关、传感器、充电器、报警器等。
详细资料见:
PIC12C5XX系列      数据手册(英文)
PIC12CE5XX系列     数据手册(英文)